IRF510N Transistor MOSFET Canal N 100V 5.6A TO-220-3 Schmitt-trigger 2V por batería • Beneficios

2V por batería • Beneficios Ambientales: Al ser recargables

Es capaz de manejar una carga de hasta 6A o 150W máx

la salida del módulo es baja y tiene un bajo consumo de energía

desarrollos tecnológicos personalizados

IRF510N Transistor MOSFET Canal N 100V 5.6A TO-220-3 Schmitt-trigger 2V por batería • BeneficiosEl transistor MOSFET IRF510N es un componente electrnico de potencia ideal para aplicaciones de conmutacin y amplificacin. Es ampliamente utilizado en circuitos electrnicos por su capacidad para manejar altas corrientes y voltajes, con una resistencia de encendido baja y alta eficiencia. ESPECIFICACIONES TCNICAS Tipo: N Channel MOSFET Tensin Mxima de Drenaje Fuente (VDS): 100 V Corriente Mxima de Drenaje (ID): 33 A Potencia Mxima Disipada: 43 W